韩国高管因芯片盗窃指控再次被拘留

他的律师声称这些信息是公开的，而崔否认有任何不当行为。

韩国高管崔镇锡因涉嫌窃取三星电子开发的半导体技术而再次被拘留。首尔中央地方法院周四发出逮捕令，理由是担心崔镇锡此前曾面临类似指控，可能会潜逃。

自 2023 年 7 月以来，崔志成就因涉嫌窃取信息在中国建立山寨芯片工厂而受到调查。去年 11 月，他被捕并获准保释，但否认了所有指控。

最新指控涉及窃取有关 20 纳米 DRAM 芯片处理技术的信息。崔志成的律师坚称，所涉信息是公开的，崔志成尚未因这些新指控而受到正式起诉。

这为什么重要？

此案凸显了韩国持续打击工业间谍活动和遏制中国芯片制造进步的努力。三星拒绝就最新进展发表评论。