三星在 AI 存储芯片开发方面取得进展

  这些进步是在经历了一段时间的发展失误和内部重组(包括更换半导体部门负责人)之后取得的。

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  三星电子在开发人工智能市场必不可少的内存芯片方面取得了长足进步,缩小了与竞争对手 SK 海力士的差距。该公司最近获得了 Nvidia 对其 HBM3 内存芯片的批准,预计其下一代 HBM3E 将在数月内获得批准。在取得这一进展之前,该公司经历了数月的挫折,包括开发挑战和更换半导体部门负责人。

  三星之所以做出这些努力,是因为人工智能的发展预计将推动高带宽内存 (HBM) 的需求飙升。HBM 市场规模预计将从 2022 年的 40 亿美元增长到 2027 年的 710 亿美元。尽管三星仍落后于 SK 海力士,但 Nvidia 的批准对于三星利用这个蓬勃发展的市场并提高其收入和市场份额至关重要。

  这为什么重要?

  该公司面临着重大的工程挑战,特别是在 HBM 中使用的堆叠 DRAM 芯片的热管理方面。在全永铉的领导下,三星专注于解决这些问题并增强其技术。该公司还重组了 HBM 团队,以促进创新和协作。

  随着三星的进步,它的目标是提高产量,满足对人工智能内存芯片日益增长的需求。凭借其财务资源和生产能力,该公司有能力解决市场短缺问题,并确保在利润丰厚的人工智能内存市场中占据相当大的份额。

  


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