8 英寸 SiC 晶圆的兴起

电力电子的新未来。

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8 英寸碳化硅 (SiC)技术的最新发展标志着半导体行业,尤其是电力电子领域的重大变革。日本 NGK Insulators 已成功制造出 8 英寸 SiC 晶圆,将在 ICSCRM 2024 上展出,彰显了该领域的快速进步。此外,Resonac 即将实现其 8 英寸外延晶圆的商业化,目标是到 2025 年实现外延晶圆和基板的批量生产,而 Onsemi 将于今年晚些时候推出其 8 英寸晶圆。

在美国,Wolfspeed 推出了一款新型 2300V SiC 功率模块,利用先进的 8 英寸晶圆技术来增强可再生能源应用和快速充电解决方案。与此同时,在中国,三安光电已启动其 8 英寸 SiC 基板工厂,并计划实现大规模生产,这进一步表明全球对这些材料的需求不断增长。

市场分析师预计,从 6 英寸晶圆过渡到 8 英寸晶圆将降低生产成本,从而提高 SiC 技术的可及性。晶圆尺寸越大,单位芯片成本越低,预测表明 8 英寸 SiC 产品的市场份额可能从目前的不到 2% 增长到 2026 年的约 15%。随着 SiC 基板价格持续下降,这一转变预计将为汽车和可再生能源等多个行业创造新机遇。

随着竞争的加剧和生产技术的进步,SiC 行业即将被广泛采用。随着 6 英寸基板价格的下降和 8 英寸技术的日益普及,碳化硅作为电力电子发展的关键参与者,前景一片光明。

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