虽然供应协议尚未签署，但预计很快就会签署，预计 2024 年第四季度发货。三星重新设计的 HBM3E 芯片旨在解决之前的热量和功率问题。
三星电子的第五代高带宽内存 (HBM) 芯片（HBM3E）已通过Nvidia 的测试，可用于其 AI 处理器。这一进展标志着三星的一个重要里程碑，因为它旨在与当地竞争对手 SK Hynix 在高级内存芯片市场上展开竞争。虽然预计很快会达成获批的八层 HBM3E 芯片的供应协议，但三星的 12 层版本尚未通过 Nvidia 的测试。
HBM 芯片于 2013 年首次推出，是一种动态随机存取存储器 (DRAM)，旨在节省空间并降低功耗。它们对于处理大量数据的 AI 图形处理单元 (GPU) 至关重要。自去年以来，三星一直致力于解决其 HBM3E 设计中的热量和功耗问题，以满足 Nvidia 的标准。
尽管三星最近取得了进展，但仍落后于 SK 海力士，后者已开始出货 12 层 HBM3E 芯片。三星股价周三上涨 4.3%，超过大盘 2.4% 的涨幅。在生成式人工智能热潮推动 GPU 需求不断增长之际，英伟达批准了三星的 HBM 芯片，HBM3E 芯片预计将在今年成为主流。
研究公司 TrendForce 预测 HBM3E 芯片将占据市场主导地位，SK 海力士估计到 2027 年 HBM 芯片需求的年增长率将达到 82%。三星的目标是到第四季度 HBM3E 芯片占其 HBM 销售额的 60%，分析师认为，如果获得 Nvidia 的最终批准，这一目标就可以实现。SK 海力士、美光和三星主要主导着 HBM 市场。
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